南開科技大學圖書館 |

Language: 繁體中文

說明(常見問題)

南開科技大學

圖書館首頁

編目中圖書申請

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

磁性記憶體專利地圖及分析 = Patent analysis of MRAM

~

鄭凱安

磁性記憶體專利地圖及分析 = Patent analysis of MRAM

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Patent analysis of MRAM
作者:	鄭凱安,
出版地:	臺北市
出版者:	行政院國家科學委員會科學技術資料中心;
出版年:	民93
版本:	第一版
面頁冊數:	[12],168面 : 部分彩圖,表格 ; 30公分
集叢名:	奈米科技專利研究系列第6輯
標題:	電子業 -
標題:	電腦 - 儲存設備 -
標題:	奈米技術 -
附註:	部分內容為英文
附註:	參考書目:面96-97
附註:	附錄:名詞對照表等4種
ISBN:	957-619-115-7

磁性記憶體專利地圖及分析 = Patent analysis of MRAM
鄭, 凱安

磁性記憶體專利地圖及分析 = Patent analysis of MRAM / 鄭凱安等作 - 第一版. - 臺北市 : 行政院國家科學委員會科學技術資料中心, 民93. - [12],168面 ; 部分彩圖,表格 ; 30公分. - (奈米科技專利研究系列 ; 第6輯).
部分內容為英文參考書目:面96-97附錄:名詞對照表等4種.
ISBN 957-619-115-7
電子業電腦奈米技術 -- 儲存設備

磁性記憶體專利地圖及分析 = Patent analysis of MRAM
LDR:00826cam 2200253 450 001 74358
009 00084426
010 0 $a 957-619-115-7 $b 平裝 $d NT1500
022 $a tw $b 1009301627
100 $a 20041101d2004 k a0chiy08 e
101 0 $a chi $a eng
102 $a tw
105 $a ak a 000yd
200 1 $a 磁性記憶體專利地圖及分析 $d Patent analysis of MRAM $z eng $f 鄭凱安等作
205 $a 第一版
210 $a 臺北市 $c 行政院國家科學委員會科學技術資料中心 $d 民93
215 0 $a [12],168面 $c 部分彩圖,表格 $d 30公分
225 1 $a 奈米科技專利研究系列 $v 第6輯 $v STIC-RPR-093-02
300 $a 部分內容為英文
300 $a 參考書目:面96-97
300 $a 附錄:名詞對照表等4種
510 1 $a Patent analysis of MRAM $z eng
606 $a 電子業 $2 csh $3 65971
606 $a 電腦 $x 儲存設備 $2 csh $3 5519
606 $a 奈米技術 $2 csh $3 66747
681 $a 484.6 $b 8723
700 1 $a 鄭 $b 凱安 $3 72236
801 0 $a tw $b 南開 $c 20041101 $g CCR $m 4
801 1 $a tw $b 南開 $c 20041101 $g CCR $m 4

0 筆讀者評論

館藏地: 出版年: 卷號:

館藏

1 筆 • 頁數 1 •
1

典藏地名稱

館藏流通類別

130543

三樓書庫(3rd Floor-Chinese Books)

一般借閱

圖書

484.6 8723 93

一般(Normal)

在架

0

5030000-0930027

1 筆 • 頁數 1 •
1

評論

新增評論分享你的心得

建立或儲存個人書籤

書目轉出

取書館別

變更密碼

登入