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VLSI設計概論
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
譯自:
Basic VLSI design, 3rd ed.
作者:
Pucknell,Douglas A.,
其他作者:
Eshraghian,Kamran,
其他作者:
楊志能,
出版地:
臺北縣五股鄉
出版者:
高立;
出版年:
2002[民91]
版本:
初版
面頁冊數:
20,424面 : 部份彩圖,表格 ; 23公分
標題:
積體電路 -
附註:
含參考書目
附註:
附錄:1,2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型CMOS:電性參數;2,1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井COMS:設計規則與流程及元件規格;3,可程式邏輯陣列
附註:
民94年初版2刷
ISBN:
986-412-025-5
VLSI設計概論
Pucknell,, Douglas A.
VLSI設計概論
/ Douglas A. Pucknell, Kamran Eshraghian原著 ; 楊志能譯 - 初版. - 臺北縣五股鄉 : 高立, 2002[民91]. - 20,424面 ; 部份彩圖,表格 ; 23公分.
含參考書目附錄:1,2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型CMOS:電性參數;2,1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井COMS:設計規則與流程及元件規格;3,可程式邏輯陣列民94年初版2刷.
ISBN 986-412-025-5
積體電路
Eshraghian,, Kamran
VLSI設計概論
LDR
:00871nam0 2200229 450
001
96542
009
00107645
010
0
$a
986-412-025-5
$b
平裝
$d
NT540
100
$a
20060522d2005 m y0chiy08 e
101
1
$a
chi
$c
eng
102
$a
tw
105
$a
ak z 000yy
200
1
$a
VLSI設計概論
$f
Douglas A. Pucknell, Kamran Eshraghian原著
$g
楊志能譯
205
$a
初版
210
$a
臺北縣五股鄉
$c
高立
$d
2002[民91]
215
0
$a
20,424面
$c
部份彩圖,表格
$d
23公分
300
$a
含參考書目
300
$a
附錄:1,2.0微米雙層多晶矽雙層金屬n型CMOS:電性參數;2,1.2微米單層多晶矽雙層金屬n型井與p型井COMS:設計規則與流程及元件規格;3,可程式邏輯陣列
300
$a
民94年初版2刷
527
1 1
$a
Basic VLSI design, 3rd ed.
$z
eng
606
$a
積體電路
$2
csh
$3
48
681
$a
448.62
$b
P977
700
1
$a
Pucknell,
$b
Douglas A.
$3
104429
702
1
$a
Eshraghian,
$b
Kamran
$3
104430
702
1
$a
楊
$b
志能
$4
譯
$3
104431
801
0
$a
tw
$b
NKC
$c
20060522
$g
CCR
$m
4
801
1
$a
tw
$b
NKC
$c
20060522
$g
CCR
$m
4
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館藏地:
全部
三樓書庫
出版年:
卷號:
館藏
2 筆 • 頁數 1 •
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109016
三樓書庫
一般借閱
圖書
448.62 P977 91
一般(Normal)
在架
0
5030000-0930026
170319
三樓書庫
一般借閱
圖書
448.62 P977 94 c.2
一般(Normal)
在架
0
5030000-0940049
2 筆 • 頁數 1 •
1
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