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發光二極體元件電極設計之研究 = Investigation of li...

柯鴻禧

發光二極體元件電極設計之研究 = Investigation of light-emitting diodes with metal pad design

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Investigation of light-emitting diodes with metal pad design
作者:	王瑞祥,
其他作者:	柯鴻禧,
出版地:	[南投縣]
出版者:	南開科技大學電子工程研究所;
出版年:	民102[2013]
面頁冊數:	50葉 : 圖,表 ; 31公分+1張光碟
標題:	發光二極體
標題:	light-emitting diodes
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/99051754430490983484
附註:	指導教授: 柯鴻禧
附註:	參考書目: 葉49
摘要註:	本論文主旨在研究以元件電極設計的改變，於相同條件的氮化鎵(GaN)發光二極體磊晶片上測試，經發光二極體晶粒元件製程後，觀察元件的亮度與相關電性。實驗設計以不同長度、間距的電極位置改變來探討發光二極體(LED)其順向電壓、抗靜電能力、發光強度、光電轉換效率。在本論文中得以在發光二極體之元件特性中獲得改善提升之空間。

發光二極體元件電極設計之研究 = Investigation of light-emitting diodes with metal pad design
王, 瑞祥

發光二極體元件電極設計之研究 = Investigation of light-emitting diodes with metal pad design / 王瑞祥 - [南投縣] : 南開科技大學電子工程研究所, 民102[2013]. - 50葉 ; 圖,表 ; 31公分.
指導教授: 柯鴻禧參考書目: 葉49.
發光二極體light-emitting diodes

柯, 鴻禧

發光二極體元件電極設計之研究 = Investigation of light-emitting diodes with metal pad design
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200 1 $a 發光二極體元件電極設計之研究 $d Investigation of light-emitting diodes with metal pad design $f 王瑞祥 $z eng
210 $a [南投縣] $c 南開科技大學電子工程研究所 $d 民102[2013]
215 0 $a 50葉 $c 圖,表 $d 31公分 $e 1張光碟
300 $a 指導教授: 柯鴻禧
300 $a 參考書目: 葉49
328 $a 碩士論文--南開科技大學電子工程研究所
330 $a 本論文主旨在研究以元件電極設計的改變，於相同條件的氮化鎵(GaN)發光二極體磊晶片上測試，經發光二極體晶粒元件製程後，觀察元件的亮度與相關電性。實驗設計以不同長度、間距的電極位置改變來探討發光二極體(LED)其順向電壓、抗靜電能力、發光強度、光電轉換效率。在本論文中得以在發光二極體之元件特性中獲得改善提升之空間。 $u This dissertation describes the characterization of electrode design on GaN light-emitting diodes. Compare different electrode design and characteristics of the brightness in the same condition GaN light-emitting diode wafers. Experimental design with different lengths, electrode spacing change of position to explore the light-emitting diode (LED) whose forward voltage, antistatic ability, luminous intensity, photoelectric conversion efficiency. In this research expectation of in light-emitting diode device characteristics improved.
510 1 $a Investigation of light-emitting diodes with metal pad design $z eng
610 0 $a 發光二極體 $a 抗靜電能力
610 1 $a light-emitting diodes $a antistatic ability
681 $a 000 $b 1013:2
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801 0 $a tw $b 國圖 $c 20130805 $g CCR
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