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不同N型氮化鎵超晶格層長晶溫度對發光二極體特性影響之研究 = Study...

柯鴻禧

不同N型氮化鎵超晶格層長晶溫度對發光二極體特性影響之研究 = Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes
作者:	游宗吉,
其他作者:	柯鴻禧,
出版地:	[南投縣]
出版者:	南開科技大學電子工程研究所;
出版年:	民102[2013]
面頁冊數:	69葉 : 圖,表 ; 31公分+1張光碟
標題:	金屬有機物化學氣相沉積
標題:	metal-organic chemical vapor deposition
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/27905307196355992502
附註:	指導教授: 柯鴻禧
附註:	參考書目: 葉68
摘要註:	本研究以金屬有機物化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）法成長氮化鎵結構，在圖形化藍寶石基板(PSS)上堆積成長為藍光磊晶的發光二極體（Light Emitting Diode；LED）。過程中，研究探討不同 N_GaN 超晶格層底層設定溫度下，對 MOCVD發光二極體藍光磊晶製程的發光強度之影響。利用螢光光譜儀 PL 分析磊晶波長、電激光量測儀EL量測磊晶發光強度、膜厚儀量測磊晶粗糙度和厚度、光繞射儀X-ray量測磊晶半寬高、掃描電子顯微鏡觀察圖形化藍寶石基板其內部結構和磊晶堆積影像。研究發現 N_GaN 超晶格層底層越高，藍光磊晶發光強度隨之增加。N_GaN 超晶格層底層增加到一定溫度也不能在增加上去，由於圖形化藍寶石基板受到底層溫度過高的影響會有六角晶柱的產生。目前金屬有機物化學氣相沉積 MOCVD 薄膜的製程參數調整，是依據磊晶人員經驗採逐一因素法加以調整。但由於影響金屬有機物化學氣相沉積薄膜之物理特性有諸多互相關聯性的製程參數，並依統計分析得到最好發光強度強度為137.6mcd，最後並執行驗證實驗以確認最佳參數水準之組合。透過此實驗方法，讓磊晶人員能藉此方法得到執行參數調整的參考方案，更可以改善產品之品質。

不同N型氮化鎵超晶格層長晶溫度對發光二極體特性影響之研究 = Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes
游, 宗吉

不同N型氮化鎵超晶格層長晶溫度對發光二極體特性影響之研究 = Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes / 游宗吉 - [南投縣] : 南開科技大學電子工程研究所, 民102[2013]. - 69葉 ; 圖,表 ; 31公分.
指導教授: 柯鴻禧參考書目: 葉68.
金屬有機物化學氣相沉積metal-organic chemical vapor deposition

柯, 鴻禧

不同N型氮化鎵超晶格層長晶溫度對發光二極體特性影響之研究 = Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes
LDR:04412pam0 2200289 450 001 128255
005 20150116094519.0
009 00149977
010 0 $b 精裝
099 $a 101NKUT0446011
100 $a 20130805y2013 k y0chiy08 e
101 0 $a chi
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 不同N型氮化鎵超晶格層長晶溫度對發光二極體特性影響之研究 $d Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes $f 游宗吉 $z eng
210 $a [南投縣] $c 南開科技大學電子工程研究所 $d 民102[2013]
215 0 $a 69葉 $c 圖,表 $d 31公分 $e 1張光碟
300 $a 指導教授: 柯鴻禧
300 $a 參考書目: 葉68
328 $a 碩士論文--南開科技大學電子工程研究所
330 $a 本研究以金屬有機物化學氣相沉積(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）法成長氮化鎵結構，在圖形化藍寶石基板(PSS)上堆積成長為藍光磊晶的發光二極體（Light Emitting Diode；LED）。過程中，研究探討不同 N_GaN 超晶格層底層設定溫度下，對 MOCVD發光二極體藍光磊晶製程的發光強度之影響。利用螢光光譜儀 PL 分析磊晶波長、電激光量測儀EL量測磊晶發光強度、膜厚儀量測磊晶粗糙度和厚度、光繞射儀X-ray量測磊晶半寬高、掃描電子顯微鏡觀察圖形化藍寶石基板其內部結構和磊晶堆積影像。研究發現 N_GaN 超晶格層底層越高，藍光磊晶發光強度隨之增加。N_GaN 超晶格層底層增加到一定溫度也不能在增加上去，由於圖形化藍寶石基板受到底層溫度過高的影響會有六角晶柱的產生。目前金屬有機物化學氣相沉積 MOCVD 薄膜的製程參數調整，是依據磊晶人員經驗採逐一因素法加以調整。但由於影響金屬有機物化學氣相沉積薄膜之物理特性有諸多互相關聯性的製程參數，並依統計分析得到最好發光強度強度為137.6mcd，最後並執行驗證實驗以確認最佳參數水準之組合。透過此實驗方法，讓磊晶人員能藉此方法得到執行參數調整的參考方案，更可以改善產品之品質。 $u In this study, metal-organic chemical vapor deposition (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) method GaN structure, graphical sapphire substrate (PSS) is deposited on the growth of Blu-ray epitaxy light-emitting diodes (Light Emitting Diode; LED).Process, the study investigated different N_GaN superlattice layer underlying set temperature, light-emitting diodes on MOCVD epitaxial process blue luminous intensity of the effect. PL analyzed by fluorescence spectroscopy epitaxial wavelength, laser power measurement instrument measuring epitaxial EL luminous intensity, thickness measurement epitaxy roughness and thickness ray diffraction X-ray measurements epitaxial half-width and height, scanning electron microscopy graphical its internal structure and the sapphire substrate, epitaxial stacked images. Study found that the higher the bottom N_GaN superlattice layer Blu-ray emission intensity increases epitaxy. N_GaN superlattice layer underlying increased to a certain increase in temperature can not go up, because the underlying graphical sapphire substrate by the impact of high temperatures have hexagonal boules generation. Currently MOCVD metal organic chemical vapor deposition process parameters to adjust the film, is based on epitaxial staff of experienced mining factor method to be adjusted individually. However, due to the metal-organic chemical vapor deposition affect the physical properties of the film has many interrelated nature of the process parameters, and statistical analysis according to the best light intensity strength 137.6mcd, last and perform validation experiments to confirm the level of optimal parameter combination. Through this experimental methods, so epitaxial personnel to perform parameter adjustment method reference scenario, but also improve the quality of products.
510 1 $a Study on the effects of N-GaN superlattice layer growth temperature for light emitting diodes $z eng
610 0 $a 金屬有機物化學氣相沉積 $a 發光二極體 $a 氮化鎵
610 1 $a metal-organic chemical vapor deposition $a light-emitting diodes $a GaN
681 $a 000 $b 3834
700 1 $a 游 $b 宗吉 $3 142595
702 1 $a 柯 $b 鴻禧 $3 68049
801 0 $a tw $b 國圖 $c 20130805 $g CCR
801 1 $a tw $b 國圖 $c 20130805 $g CCR
856 7 $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/27905307196355992502